据国家知识产权局公告，共达电声股份有限公司取得一项名为“MEMS电容传感器及其制备方法、电子设备“，授权公告号CN113678472B，申请日期为2019年5月。
专利摘要显示，一种MEMS电容传感器及其制备方法，该传感器包括第一电极结构(200)，该第一电极结构(200)包括位于中间区域的第一导电区域(230a)以及所述第一导电区域周围的绝缘区域(240)，第一导电区域(230a)和绝缘区域(240)为一整体结构，且其中至少一个通过掺杂方式形成。上述MEMS电容式传感器，通过在第一电极结构中设置在中间区域的第一导电区域导电，第一导电区域周围的绝缘区域绝缘，降低了MEMS电容式传感器的寄生电容，并且无需设置多层绝缘薄膜，避免了残余应力控制复杂、多层薄膜剥离和弯曲的问题。
