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VIKING（光颉）代理全系列电阻电容
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薄膜精密电阻
低温漂电阻
AR-薄膜精密贴片电阻
精度:0.01%～1%
温漂：1～50PPM/℃
尺寸：0201～2512
PR-防湿精密贴片电阻
精度：0.1%,0.25%,0.5%
温漂：15～50PPM/℃
尺寸：0402～2512
常规厚膜电阻
贴片电阻
CR-常规厚膜贴片电阻
精度:0.1%～5%
阻值：1Ω～100MΩ
尺寸：0201～2512
高压电阻
高阻值电阻
HVR-耐高压芯片电阻
精度:±1%,5%
阻值:10Ω～10MΩ
耐压：100～3000V
HMR-高阻值贴片电阻
精度：±5%
尺寸：0805, 1206
阻值：110MΩ～1000MΩ
晶圆电阻
柱状电阻
CSR-金属薄膜晶圆电阻
封装：0102,0204,0207
精度：0.1%～5%
CFS-碳膜无脚电阻
封装：0204,0207,0309
精度：2%，5%
直插电阻
精密插件电阻
MFR-金属膜直插电阻
精度：0.05%～1%
温漂：5～50PPM/℃
MFD-高精密金属固定电阻
精度：0.02%～0.1%
温漂：5～25PPM/℃
CFR-插件式碳膜电阻
精度：2%～5%
阻值范围：0.1Ω～22MΩ
MOF-金属氧化膜电阻
精度：1%～5%
功率：0.25～7W
贴片排阻
精密排阻
TFAN-高精密薄膜贴片排阻
封装：0603×4
温漂：10～50PPM/℃
精度：0.1%,0.25%,0.5%，1%
CN-厚膜贴片排阻
封装：0603×4 精度：1%，5%
CN-厚膜贴片平板排阻
封装:0201×2 / 0201×4
精度：5%
耐突波电阻
打线电阻
激光
镭切
电阻
PWR-耐突波贴片电阻
封装：0603～2512
阻值：10Ω～20MΩ
精度：0.5%，1%，5%
WB-打线式贴片电阻
封装：0201,0402,0603
阻值：10Ω～332KΩ
精度：±0.1%～10%
RT-可镭切电阻
阻值:1Ω～10MΩ
精度:-10%～-30%
尺寸:0402～2512
采样电阻
毫欧电阻
CS-薄膜电流采样电阻
阻值范围：3mΩ～1000mΩ
尺寸：1225,3720,7520
TCS-薄膜电流感应电阻
阻值范围:50mΩ～1000mΩ
精度:±0.5%,±1%
RS-厚膜电流采样电阻
阻值范围:10mΩ～976mΩ
LR-合金电流采样电阻
阻值范围:0.5mΩ～15mΩ
功率:1W～3W
LRM-合金电流采样电阻
阻值范围：5～100mΩ
功率：1/4W～3W
LRS-合金电流采样电阻
阻值范围:0.5mΩ～4mΩ
功率：2.5～7W
功率电阻
TO-220功率电阻
TO-220功率电阻
TO-247功率电阻
功率：20W,35W,50W,100W
精度：0.5%,1%,5%,10%
阻值范围：0.05Ω～10kΩ
陶瓷贴片电容
高压陶瓷贴片电容
高频陶瓷贴片电容
低感陶瓷贴片电容
低ESR陶瓷贴片电容
高Q值陶瓷贴片电容
MC-1系列
常规陶瓷贴片电容
容量范围：0.5pF～100uF
电容精度：±0.1,0.25,0.5pF,±5%,10%,20%,-20/+80%
额定耐压：6.3V,10V,16V,25V,50V,100V
电容材质：NPO/X7R/X5R/Y5V
电容尺寸：0402/0603/0805/1206/1210/1812
MC-2系列
高压贴片电容
容量范围：0.5pF～0.68uF
电容精度：±0.25,0.5pF,±5%,10%,20%,-20/+80%
额定耐压：200V,250V,500V,630V,1KV,2KV,3KV
电容材质：NPO/X7R/Y5V
电容尺寸：0603/0805/1206/1210/1808/1812
MC-3系列
0201贴片电容
容量范围：0.3pF～0.1uF
电容精度：±0.25,0.5pF,±5%,10%,20%
额定耐压：6.3V,10V,16V,25V,50V
电容材质：NPO/X7R/X5R
电容尺寸：0201
MCHL系列
高Q值陶瓷贴片电容
低ESR陶瓷贴片电容
容量范围：0.5pF～3300pF
电容精度：±0.1,0.25,0.5pF,±5%
额定耐压：16V,25V,50V,100V
电容材质：NPO
电容尺寸：0402/0603/0805
MCRF系列
高频陶瓷贴片电容
容量范围：0.1pF～100pF
电容精度：±0.05,0.1,0.25,0.5pF,±1%,2%,5%
额定耐压：6.3V,10V,25V,50V,100V,250V
电容材质：NPO
电容尺寸：0201/0402/0603/0805
MCLI系列
低感陶瓷贴片电容
容量范围：10nF～150nF
电容精度：±10%,20%
额定耐压：50V
电容材质：X7R
电容尺寸：0612
其它产品
LELON铝电解电容
国巨电阻
VIKING精密电阻
IC108
高频电感
薄膜电感
绕线电感
AL-高频薄膜精密贴片电 感
感值范围:0.1nH～100nH
精度：±0.1,0.2,0.3nH
±1%,2%,3%,5%
尺寸：0201、0402
SRF(MHZ):1000～14000
CL-高频陶瓷迭层电感
感值范围:1nH～220nH
精度：±0.3nH,5%,10%
尺寸：0402、0603
SRF(MHZ):600～10000
WL-高频陶瓷绕线电感
感值范围:1nH～15000nH
精度：±2%, 5%,10%
尺寸：0402～1206,1008
SRF(MHZ):15～12700
插件电感
直插功率电感
DRGH-插件开磁路功率电感
感值范围:10u～47000uH
IDC(A):0.038～5.3
DRGR-插件闭磁路功率电感
感值范围:10u～10000uH
IDC(A):0.023～35
DM-插件式闭磁路功率电感
感值范围:0.22u～33uH
IDC(A):6～56
磁芯电感
贴片磁珠
共模滤波器
ML-积层芯片式黑电感
感值范围:0.01～33uH
IDC(mA):5～300
尺寸：0603/0805/1206
SRF(MHZ):13～320
CB-贴片磁珠
感值范围:5～2700Ω
IDC(mA):50～6000
尺寸：0402～1812
NL-铁芯绕线电感
开放,铸膜及背胶
感值范围:0.12uH～1000uH
IDC(mA):30～1800
尺寸：0805～2220
SRF(MHZ):0.5～800
CM-共模滤波器
感值范围:67～2200Ω
IDC(mA):200～400
尺寸：0805/1206
功率电感
贴片功率电感
PDH-开磁路绕线功率电感
感值范围:0.47u～100uH
IDC(A):0.4～30
PD-开磁路绕线功率电感
感值范围:0.18u～1000uH
IDC(A):0.1～40
PCD-开磁路绕线功率电感
感值范围:1.0u～1000uH
IDC(A):0.09～9.5
PMI-小型绕线功率电感
感值范围:1.2u～1000uH
IDC(A):0.08～2.5
PME-小型绕线功率电感
感值范围:1u～68uH
IDC(A):0.08～2.5
PS-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1u～10000uH
IDC(A):0.02～5
PCS-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1.2u～1000uH
IDC(A):0.14～9.8
PCDR-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1.2u～1500uH
IDC(A):0.13～13
PCDS-闭磁路绕线功率电感
感值范围:10u～820uH
IDC(A):0.33～3.15
SCDA-闭磁路绕线功率电感
感值范围:0.47uH～100uH
IDC(A):0.18～3.9
PSDB-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1.3u～1000uH
IDC(A):0.4～10.5
SCDB-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1.2u～47uH
IDC(A):0.22～1.1
SCDS-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1u～470uH
IDC(A):0.13～6.15
PCF-闭磁路绕线功率电感
感值范围:0.36u～10000uH
IDC(A):0.026～12.6
PDRH-闭磁路绕线功率电感
感值范围:0.47u～27000uH
IDC(A):17～4820
SDRH-闭磁路绕线功率电感
感值范围:1.0u～100uH
IDC(A):0.75～9
SDB-闭磁路绕线功率电感
感值范围:0.10u～47uH
IDC(A):1.2～32.5
SDIA-小型绕线功率电感
感值范围:1u～100uH
IDC(A):0.05～8.16
VLH-小型绕线功率电感
感值范围:0.1u～10000uH
IDC(A):0.023～50
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北京纳米科技产业园启动孵化器建设
发布时间:2013/3/28 9:18:56 访问量：183
北京市纳米科技产业园孵化器建设项目日前举行开标仪式，标志着该项目正式启动。
据介绍，孵化器项目由北京市科委重点支持，将通过探索北京纳米科技产业园中小企业孵化模式和培育机制，搭建北京纳米科技产业园孵化器，为入园中小创新、创业型科技企业的快速成长提供针对性的服务和全方位的指导。
北京纳米科技产业园坐落在怀柔区雁栖经济开发区内，致力于促进纳米产业链的聚集发展，推动纳米技术在能源、电子、环境、生物医药四大领域的应用。目前，已有包括中科院在内的十多家单位的相关项目入驻产业园区。
来源：中国科学报
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