IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
栅极电阻Rg及栅射电阻Rge的影响IGBT的输人阻抗很高且为容性，静态时输入端没有电流流过，只是在工作中存在对输人电容进行充放电的动态电流。为了改善脉冲的前后沿陡度和防止产生振荡，减小集电极大的电压尖脉冲，需要在栅极串联电阻Rg。
但要注意，串人较大的Rg时，会使IGBT的通断时间延长;而串人较小的Rg时，又会使di/dt升髙，可能引起IGBT误导通。因此在实际应用中，应根据器件的电流容量、电压额定值及开关频率，选择适当的Rg值。通常，为了几至几百欧。
