采用“DPAK+”封装，适用于高速开关
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以最新的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用，尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品，并计划于2013年4月投入量产。

极性 产品型号 漏极到源极电压
VDSS (V) 漏极电流
ID (A) 系列
通道号 TK55S10N1 100 55 U-MOS VIII-H

主要特性
1. 低导通电阻(VGS=10V)
RDS(ON) = 5.5mΩ（标准值）
2. 低漏电电流IDSS=10μA（最大值）（VDS=额定电压）
3. “DPAK+”封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻。

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来源：东芝官网