据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种电容结构、电容阵列、存储器及电子设备“，公开号CN117766593A，申请日期为2022年9月。

    专利摘要显示，本申请提供了一种电容结构、电容阵列、存储器及电子设备，电容结构包括至少一个第一极和第二极连接的场效应晶体管，该场效应晶体管包括叠层结构、沟道层、栅氧化层和栅极，叠层结构包括依次层叠设置的第一极、介质层和第二极，且叠层结构上开设有沟槽，沟槽的开口位于第二极的上表面，沟槽贯穿第二极和介质层。沟道层覆盖沟槽的侧壁和底部，栅氧化层覆盖沟道层，栅极填充于栅氧化层所限定的区域且从沟槽中溢出。采用上述场效应晶体管构成电容结构可以减小面积开销，可以增加电容阵列的电路密度，并采用电容阵列作为冗余存储阵列，可以增加存储器的存储密度。